半导体制造对温度波动极度敏感，晶圆线膨胀系数极小，温度波动±0.1℃即可引发尺寸偏差，光刻胶粘度、刻蚀速率等关键参数亦随温度变化，直接影响批次良率。传统测温方案难以满足±0.01℃级别的分辨率要求与洁净环境适